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      文章詳情

      英飛凌IGBT的特性

      日期:2021-04-06 17:01
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      摘要:
      英飛凌IGBT的特性
        英飛凌IGBT的轉移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關系曲線。它與MOSFET 的轉移特性相同,當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時,IGBT 處于關斷狀態。在IGBT 導通后的大部分漏極電流范圍內, Id 與Ugs呈線性關系。*高柵源電壓受*大漏極電流限制,其*佳值一般取為15V左右。
      動態特性
        動態特性又稱開關特性,IGBT的開關特性分為兩大部分:一是開關速度,主要指標是開關過程中各部分時間;另一個是開關過程中的損耗。
        英飛凌IGBT的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處于導通態時,由于它的PNP 晶體管為寬基區晶體管,所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構,但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。

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