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      文章詳情

      英飛凌IGBT4芯片技術的簡述

      日期:2021-04-16 23:11
      瀏覽次數:145
      摘要:
           IGBT是一種十分重要的電力電子器件。它既有功率MOSFET驅動功率小、開關頻率高的優點,又有大功率晶體管導通電壓低、通態電流大的優點。它在任何時刻可關斷通態電流,避免了普通晶閘管在一個半波內只能導通不能關斷的弱點。在電力電子領域是一個十分有發展前途的大功率半導體器件。

           IGBT這種新型功率半導體器件又稱絕緣柵雙極型晶體管,是功率半導體器件第三次技術**的代表性產品,廣泛應用于軌道交通、航空航天、船舶驅動、智能電網、新能源、交流變頻、風力發電、電機傳動、汽車等強電控制等產業領域。它問世近三十年,已做到12吋硅晶片、6500伏的高水平。

      英飛凌IGBT4芯片技術:
          基于溝槽柵+場終止結構,1200V和1700V;
          1200V三種類型:小功率T4、**率E4、大功率P4;
          1700V兩種類型:**率E4、大功率P4;
          P4實現軟關斷特性的明顯提升,關斷時電壓尖峰小,無振蕩;
          T4和E4提高關斷速度,開關頻率較高時輸出能力優于T3和E3;
          配用反向恢復特性更"軟"的EmCon4續流二極管;
          飽和電壓正溫度系數,10 μs短路承受時間不變。

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